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NSBC124EPDXV6T1G
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, BRT, Complemento NPN y PNP, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNSBC124EPDXV6T1G
No. Parte Newark10N9562
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadComplemento NPN y PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor50V
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50V
Corriente de Colector Continua100mA
Resitencia Básica de Entrada R122kohm
Resistencia R2 Base Emisor22kohm
Diseño de TransistorSOT-563
Núm. de Pines6 Pines
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia500mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.60hFE
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Complemento NPN y PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50V
Resitencia Básica de Entrada R1
22kohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
50V
Corriente de Colector Continua
100mA
Resistencia R2 Base Emisor
22kohm
Núm. de Pines
6 Pines
Disipación de Potencia
500mW
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
60hFE
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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