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NTD2955T4G
MOSFET de Potencia, Canal P, 60 V, 12 A, 0.18 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD2955T4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)10N9570
Cinta adhesiva10N9570
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.060 | $2.06 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.06 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.060 |
| 10+ | $1.180 |
| 25+ | $1.110 |
| 50+ | $1.020 |
| 100+ | $0.941 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD2955T4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)10N9570
Cinta adhesiva10N9570
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.155ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd55W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia55
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NTD2955T4G es un MOSFET de potencia de canal P de -60V diseñado para soportar alta energía en los modos de avalancha y conmutación. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motores de potencia. Este dispositivo es particularmente adecuado para circuitos de puente donde la velocidad del diodo y las áreas de operación seguras de conmutación son críticas y ofrecen un margen de seguridad adicional contra transitorios de voltaje inesperados.
- Energía de avalancha especificada
- IDSS y VDS (encendidos) especificados a temperatura elevada
- Voltaje de puerta a fuente ±20VCD
- Resistencia térmica de 2.73 °C/W, de unión a carcasa
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.155ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
55W
Disipación de Potencia
55
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTD2955T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto