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NTD3055-094T4G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 12 A, 0.094 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD3055-094T4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)71J7043RL
Cinta adhesiva71J7043
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112 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.720 | $1.72 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.72 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.720 |
| 50+ | $1.130 |
| 100+ | $0.799 |
| 250+ | $0.728 |
| 500+ | $0.656 |
| 1000+ | $0.611 |
| 2500+ | $0.598 |
| 5000+ | $0.586 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTD3055-094T4GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)71J7043RL
Cinta adhesiva71J7043
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia de Activación Rds(on)0.084ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.094
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd48W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia48
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NTD3055-094T4G es un MOSFET de potencia de canal N diseñado para aplicaciones de conmutación de baja tensión y alta velocidad en fuentes de alimentación, convertidores y controles de motores de potencia y circuitos de puente.
- RDS inferior (ENCENDIDO)
- VDS inferior (ENCENDIDO)
- VSD más bajo y más apretado
- Tiempo de recuperación inversa de diodo inferior
- Baja carga reversa de recuperación almacenada
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0.084ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.094
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
48W
Disipación de Potencia
48
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTD3055-094T4G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto