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NTF2955T1G
MOSFET, P, 60V, SOT-223
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF2955T1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo81AC9551
Re-reeling (Rollos a medida)58M9896
Cinta adhesiva58M9896
Su número de pieza
26,172 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.660 | $1.66 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.66 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.660 |
| 10+ | $1.050 |
| 25+ | $0.951 |
| 50+ | $0.859 |
| 100+ | $0.766 |
| 250+ | $0.697 |
| 500+ | $0.628 |
| 1000+ | $0.570 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1000+ | $0.664 |
| 2000+ | $0.653 |
| 4000+ | $0.636 |
| 6000+ | $0.618 |
| 10000+ | $0.617 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF2955T1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo81AC9551
Re-reeling (Rollos a medida)58M9896
Cinta adhesiva58M9896
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id2.6A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.17ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia1W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
2.6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.17ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza NTF2955T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto