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NTF3055-100T1G.
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 3 A, 0.088 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF3055-100T1G.Copiar
No. Parte Newark26AC2750
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.088
Resistencia de Activación Rds(on)0.088ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd2.1W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorSOT-223
Disipación de Potencia2.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.088
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3
Resistencia de Activación Rds(on)
0.088ohm
Disipación de Potencia Pd
2.1W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
2.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTF3055-100T1G.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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