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NTF5P03T3G
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 5 A, 0.1 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF5P03T3GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06R3475RL
Cinta adhesiva06R3475
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2,768 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.410 | $1.41 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.41 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.410 |
| 50+ | $0.943 |
| 100+ | $0.674 |
| 250+ | $0.633 |
| 500+ | $0.527 |
| 1000+ | $0.492 |
| 2500+ | $0.463 |
| 5000+ | $0.454 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTF5P03T3GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)06R3475RL
Cinta adhesiva06R3475
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.13W
Diseño de TransistorSOT-223
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.75
Disipación de Potencia3.13
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The NTF5P03T3G is a P-channel Power MOSFET offers -30V drain source voltage and -5.2A continuous drain current. It is suitable for DC-to-DC converters, inductive loads and replaces MMFT5P03HD.
- Ultra-low RDS (ON)
- Higher efficiency extending battery life
- Logic level gate drive
- Miniature surface-mount package
- Avalanche energy specified
- -55 to 150°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.13W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.75
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia
3.13
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza NTF5P03T3G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto