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NTGD4167CT1G
MOSFET, ONSEMI NTGD4167CT1G
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGD4167CT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7039RL
Cinta adhesiva81Y7039
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.969 | $0.97 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.97 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.969 |
| 50+ | $0.529 |
| 100+ | $0.328 |
| 250+ | $0.301 |
| 500+ | $0.273 |
| 1000+ | $0.251 |
| 2500+ | $0.225 |
| 5000+ | $0.198 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTGD4167CT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7039RL
Cinta adhesiva81Y7039
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.052ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.052ohm
Diseño de TransistorTSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N900mW
Disipación de Potencia de Canal P900mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.052ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
900mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.052ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Disipación de Potencia de Canal N
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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