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NTH4L045N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 55 A, 650 V, 33 mohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
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No. Parte Newark81AJ0236
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| 10+ | $8.730 |
| 25+ | $8.450 |
| 60+ | $8.090 |
| 120+ | $8.020 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L045N065SC1Copiar
No. Parte Newark81AJ0236
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id55
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia187
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
55
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
187
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto