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NTH4L045N065SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 55 A, 650 V, 0.033 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L045N065SC1
No. Parte Newark81AJ0236
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTH4L045N065SC1
No. Parte Newark81AJ0236
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id55A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.033ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia187W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.033ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
187W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto