Imprimir página
NTMD4N03R2G
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.06 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMD4N03R2GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark10N9583
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 15 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.488 |
| 5000+ | $0.478 |
| 7500+ | $0.469 |
| 12500+ | $0.458 |
| 25000+ | $0.448 |
| 62500+ | $0.439 |
| 125000+ | $0.429 |
| 250000+ | $0.420 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,220.00
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMD4N03R2GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark10N9583
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Intensidad Drenador Continua Id4A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.048
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.048
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.06
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NTMD4N03R2G
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto