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NTMT110N65S3HF
MOSFET, CANAL N, 650V, 30A, PQFN
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMT110N65S3HFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)32AJ8452RL
Cinta adhesiva32AJ8452
Rango de ProductoSUPERFET III FRFET
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $9.240 | $9.24 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $9.24 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $9.240 |
| 50+ | $6.390 |
| 100+ | $4.790 |
| 250+ | $4.780 |
| 500+ | $4.770 |
| 1000+ | $4.670 |
| 2500+ | $4.580 |
| 5000+ | $4.480 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTMT110N65S3HFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)32AJ8452RL
Cinta adhesiva32AJ8452
Rango de ProductoSUPERFET III FRFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id30A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.098ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorPQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia240W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSUPERFET III FRFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.098ohm
Diseño de Transistor
PQFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
240W
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
SUPERFET III FRFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
30A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto