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NTS2101PT1G
Diodos, transistores y dispositivos semi
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTS2101PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo18AC0077
Re-reeling (Rollos a medida)58M9932RL
Cinta adhesiva58M9932
Su número de pieza
14,707 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.172 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.17 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.639 |
| 50+ | $0.407 |
| 100+ | $0.272 |
| 250+ | $0.244 |
| 500+ | $0.214 |
| 1000+ | $0.195 |
| 2500+ | $0.191 |
| 5000+ | $0.188 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.172 |
| 6000+ | $0.156 |
| 12000+ | $0.142 |
| 18000+ | $0.134 |
| 30000+ | $0.124 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTS2101PT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo18AC0077
Re-reeling (Rollos a medida)58M9932RL
Cinta adhesiva58M9932
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds8V
Intensidad Drenador Continua Id1.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700mV
Disipación de Potencia290mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
8V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
290mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTS2101PT1G
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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