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NTS2101PT1G.
MOSFET de Potencia, Canal P, 8 V, 1.4 A, 0.1 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.174 |
| 6000+ | $0.157 |
| 12000+ | $0.143 |
| 18000+ | $0.135 |
| 30000+ | $0.125 |
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Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTS2101PT1G.Copiar
No. Parte Newark28AC0234
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds8
Intensidad Drenador Continua Id1.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd290mW
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Diseño de TransistorSOT-323
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente700
Disipación de Potencia290
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
700
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Disipación de Potencia Pd
290mW
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia
290
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTS2101PT1G.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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