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NTTFS5116PLTAG
MOSFET, CANAL P, -60 V, -5.7 A, WDFN-8
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFS5116PLTAGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85AC2112
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7059RL
Cinta adhesiva81Y7059
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5,591 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.440 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.44 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.400 |
| 50+ | $0.883 |
| 100+ | $0.587 |
| 250+ | $0.524 |
| 500+ | $0.460 |
| 1000+ | $0.451 |
| 2500+ | $0.442 |
| 5000+ | $0.432 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1500+ | $0.440 |
| 4500+ | $0.408 |
| 7500+ | $0.400 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTTFS5116PLTAGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo85AC2112
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7059RL
Cinta adhesiva81Y7059
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id5.7
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.052
Diseño de TransistorWDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia3.2
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
WDFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
5.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.052
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
3.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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