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NTUD3169CZT5G.
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 220 mA, 200 mA, 1.5 ohm
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|---|---|
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTUD3169CZT5G.Copiar
No. Parte Newark28AC0236
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id220mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P200
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1.5
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente5
Diseño de TransistorSOT-963
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N125
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
200
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
5
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
220mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1.5
Diseño de Transistor
SOT-963
Disipación de Potencia de Canal N
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NTUD3169CZT5G.
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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