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NTZD3154NT1G
MOSFET, ONSEMI NTZD3154NT1G
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3154NT1GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7063
Cinta adhesiva81Y7063
Su número de pieza
88,416 En Stock
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Pedido antes de las 6 p.m.
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $10.160 | $50.80 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $50.80 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $10.160 |
| 10+ | $6.380 |
| 25+ | $5.660 |
| 50+ | $4.920 |
| 100+ | $4.200 |
| 250+ | $3.740 |
| 500+ | $3.260 |
| 1000+ | $2.940 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3154NT1GCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)81Y7063
Cinta adhesiva81Y7063
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N540mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P540mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.4ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.4ohm
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250mW
Disipación de Potencia de Canal P250mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
540mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.4ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
250mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
540mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.4ohm
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
250mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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