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NVB190N65S3F
MOSFET de Potencia, Canal N, 650 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVB190N65S3FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5870
Re-reeling (Rollos a medida)41AH2118RL
Cinta adhesiva41AH2118
Rango de ProductoSUPERFET III
Su número de pieza
785 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $5.710 | $5.71 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.71 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.710 |
| 50+ | $3.370 |
| 100+ | $3.140 |
| 250+ | $3.080 |
| 500+ | $3.010 |
| 1000+ | $2.950 |
| 2500+ | $2.890 |
| 5000+ | $2.830 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 800+ | $2.730 |
| 2400+ | $2.680 |
| 4000+ | $2.630 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVB190N65S3FCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5870
Re-reeling (Rollos a medida)41AH2118RL
Cinta adhesiva41AH2118
Rango de ProductoSUPERFET III
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia162W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoSUPERFET III
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
SUPERFET III
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
162W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NVB190N65S3F
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto