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NVBG023N065M3S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 70 A, 650 V, 33 mohm, TO-263HV (D2PAK)
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG023N065M3SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)20AM7295RL
Cinta adhesiva20AM7295
Rango de ProductoEliteSiC Series
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779 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $20.670 | $20.67 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $20.67 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $20.670 |
| 50+ | $15.680 |
| 100+ | $13.860 |
| 250+ | $13.590 |
| 500+ | $13.310 |
| 1000+ | $13.040 |
| 2500+ | $12.750 |
| 5000+ | $12.480 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVBG023N065M3SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)20AM7295RL
Cinta adhesiva20AM7295
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id70
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorTO-263HV (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia263
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
NVBG023N065M3S is an EliteSiC 650V M3S MOSFET in a 7 pin D2PAK package. It uses a completely new technology that provides superior switching performance and higher reliability compared to Silicon. In addition, the low ON resistance and compact chip size ensure low capacitance and gate charge. Consequently, system benefits include highest efficiency, faster operating frequency, increased power density, reduced EMI, and reduced system size. Typical applications include automotive on board charger and automotive DC−DC converter for EV/HEV.
- Drain to source voltage is 650V, maximum drain current is 70A
- Typical RDS(on) = 23mohm at VGS = 18V
- Ultra low gate charge QG(tot) = 69nC
- High speed switching with low capacitance (Coss = 153pF)
- 100% avalanche tested
- AEC−Q101 qualified and PPAP capable
- Operating junction temperature range from -55 to +175°C
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
70
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
263
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto