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NVHL040N120SC1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 0.056 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark74AH4857
Rango de ProductoEliteSiC Series
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark74AH4857
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60
Resistencia de Activación Rds(on)0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.056
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.3
Disipación de Potencia348
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
- Silicon carbide (SiC) MOSFET
- 100% UIL tested, AEC-Q101 qualified and PPAP capable
- Drain-to-source on resistance is 39mohm (typ, VGS = 20V, ID = 35A, TJ = 25°C
- Reverse transfer capacitance is 12pF (typ, VGS = 0V, f = 1MHz, VDS = 800V)
- Continuous drain current RJC is 60A (maximum, TC = 25°C, steady state)
- Gate to source leakage current is ±1µA (max, VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Power dissipation is 348W (VGS = +25/-15V, VDS =0V)
- Rise time is 41ns (typ, VGS = -5/20V, VDS = 800V, ID = 47A, RG = 4.7ohm, inductive load)
- Reverse recovery time is 24ns (typ, VGS = -5/20V, ISD = 47A, dIS/dt = 1000A/ s)
- Operating and storage junction temperature range from -55 to +175°C, TO247-3L package
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Tipo de Canal
N Channel
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.056
No. de Pines
3Pines
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
348
Rango de Producto
EliteSiC Series
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto