Imprimir página
NVMFS6H801NT1G
MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS6H801NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo65AC5192
Re-reeling (Rollos a medida)62AC7381
Cinta adhesiva62AC7381
Su número de pieza
42,000 En Stock
6,000 Puede reservar stock ahora
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $3.800 | $3.80 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.80 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.800 |
| 10+ | $2.480 |
| 25+ | $2.230 |
| 50+ | $1.990 |
| 100+ | $1.740 |
| 250+ | $1.630 |
| 500+ | $1.510 |
| 1000+ | $1.460 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1500+ | $1.400 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMFS6H801NT1GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo65AC5192
Re-reeling (Rollos a medida)62AC7381
Cinta adhesiva62AC7381
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id157
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2800µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia166
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2800µohm
Diseño de Transistor
DFN
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
157
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
166
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NVMFS6H801NT1G
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto