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NXH010P120M3F1PG
MOSFET, N-CH, 105A, 1.2KV, 272W, PIM-18
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH010P120M3F1PGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark11AN7261
Su número de pieza
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 20 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $131.330 |
| 5+ | $125.020 |
| 10+ | $118.700 |
| 25+ | $116.320 |
| 50+ | $113.950 |
| 100+ | $111.580 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$131.33
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH010P120M3F1PGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark11AN7261
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id105A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0145ohm
Diseño de TransistorPIM
No. de Pines18Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.4V
Disipación de Potencia272W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
105A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0145ohm
No. de Pines
18Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.4V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
PIM
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
272W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto