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NXH010P120MNF1PTG
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH010P120MNF1PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark32AK9488
Su número de pieza
28 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $136.730 |
| 5+ | $130.650 |
| 10+ | $124.560 |
| 25+ | $118.470 |
| 50+ | $112.380 |
| 100+ | $110.130 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$136.73
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH010P120MNF1PTGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark32AK9488
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id114
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0105
Diseño de TransistorModule
No. de Pines18Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia250
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Intensidad Drenador Continua Id
114
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0105
No. de Pines
18Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
250
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza NXH010P120MNF1PTG
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto