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NXH100B120H3Q0PG
Módulo IGBT, Doble, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH100B120H3Q0PG
No. Parte Newark29AK2756
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $68.620 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH100B120H3Q0PG
No. Parte Newark29AK2756
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDual
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua61A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.77V
Disipación de Potencia186W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPress Fit
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual
Corriente del Colector Continua
61A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.77V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Press Fit
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Colector DC
0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
186W
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
IGBT [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto