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NXH100B120H3Q0SG
Módulo IGBT, Doble, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH100B120H3Q0SGCopiar
No. Parte Newark29AK2757
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $72.140 |
| 5+ | $65.630 |
| 10+ | $59.120 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH100B120H3Q0SGCopiar
No. Parte Newark29AK2757
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDual
Corriente del Colector Continua61
Corriente de Colector DC0
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.77
Disipación de Potencia186
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTSolder
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTIGBT [Parada de Trinchera/Campo]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.77
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Terminación del IGBT
Solder
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Corriente del Colector Continua
61
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia
186
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Tecnología IGBT
IGBT [Parada de Trinchera/Campo]
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto