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NXH200B100H4F2SG
Módulo IGBT, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH200B100H4F2SGCopiar
No. Parte Newark29AK2758
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $158.590 |
| 5+ | $155.530 |
| 10+ | $152.460 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH200B100H4F2SGCopiar
No. Parte Newark29AK2758
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPIM
Corriente del Colector Continua100A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.8V
Disipación de Potencia93W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTSolder Pin
Voltaje Máx. Colector a Emisor1kV
Tecnología IGBTIGBT 6 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
PIM
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Solder Pin
Tecnología IGBT
IGBT 6 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
EliteSiC Series
Corriente del Colector Continua
100A
Disipación de Potencia
93W
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto