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NXH80B120MNQ0SNG
MOSFET de carburo de silicio, Paquete Doble, Doble Canal N, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Module
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH80B120MNQ0SNGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark29AK2769
Rango de ProductoEliteSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $75.620 |
| 5+ | $68.750 |
| 10+ | $61.870 |
| 25+ | $55.000 |
| 50+ | $53.900 |
| 100+ | $52.800 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXH80B120MNQ0SNGCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante13 semanas
No. Parte Newark29AK2769
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETPaquete Doble
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id23
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Diseño de TransistorModule
No. de Pines22Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia69
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Paquete Doble
Intensidad Drenador Continua Id
23
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
No. de Pines
22Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
69
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza NXH80B120MNQ0SNG
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto