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NXV65HR82DZ2
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Canal N, 26 A, 650 V, 0.082 ohm, 10 V, 5 V
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNXV65HR82DZ2
No. Parte Newark32AJ8468
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id26A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.073ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia126W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
26A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.073ohm
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5V
Disipación de Potencia
126W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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