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PZT2222AT3G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricantePZT2222AT3G
No. Parte Newark09R9679
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo40V
Voltaje Máx. Colector a Emisor40
Corriente del Colector Continua600
Disipación de Potencia Pd1.5W
Disipación de Potencia1.5
Corriente de Colector DC600mA
Ganancia de Corriente DC hFE35hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
No. de Pines4Pines
Diseño de TransistorSOT-223
Frecuencia de Transición300
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.35
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (19-Jan-2021)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
40
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Corriente de Colector DC
600mA
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Diseño de Transistor
SOT-223
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
35
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
40V
Corriente del Colector Continua
600
Disipación de Potencia
1.5
Ganancia de Corriente DC hFE
35hFE
No. de Pines
4Pines
Frecuencia de Transición
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (19-Jan-2021)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza PZT2222AT3G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (19-Jan-2021)
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