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QSD123
Fototransistor, 880 nm, 24 °, 100 mW, 2 Pines, T-1 3/4 (5mm)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteQSD123
No. Parte Newark58K2116
Hoja de datos técnicos
Longitud de Onda Típ.880
Ángulo de Visión24
Consumo de Potencia100
No. de Pines2Pines
Diseño de TransistorT-1 3/4 (5mm)
Rango de Producto-
Norma de Cualificación Automotriz-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El QSD123 es un fototransistor infrarrojo de silicio NPN adecuado para el emisor con muescas QED12X/QED22X/QED23X. Tiene un ángulo de recepción estrecho de 24° y un filtro de luz diurna. Las tensiones que excedan las clasificaciones máximas absolutas pueden dañar el dispositivo. Es posible que el dispositivo no funcione o no funcione por encima de las condiciones de funcionamiento recomendadas y no se recomienda forzar las piezas a estos niveles. Además, la exposición prolongada a tensiones por encima de las condiciones de operación recomendadas puede afectar la confiabilidad del dispositivo.
- Alta sensibilidad
Especificaciones técnicas
Longitud de Onda Típ.
880
Consumo de Potencia
100
Diseño de Transistor
T-1 3/4 (5mm)
Norma de Cualificación Automotriz
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Ángulo de Visión
24
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
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