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RFD16N05SM9A
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFD16N05SM9ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark15R3461
Su número de pieza
37,500 En Stock
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.953 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$2,382.50
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFD16N05SM9ACopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark15R3461
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.047
Resistencia de Activación Rds(on)0.047ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd72W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-252AA
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia72
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.047
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
0.047ohm
Disipación de Potencia Pd
72W
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia
72
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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