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RFP12N10L
MOSFET Transistor, N Channel, 12 A, 100
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFP12N10LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark26M2233
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.420 |
| 10+ | $1.240 |
| 100+ | $0.998 |
| 500+ | $0.904 |
| 1000+ | $0.812 |
| 2500+ | $0.690 |
| 10000+ | $0.676 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFP12N10LCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante20 semanas
No. Parte Newark26M2233
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2V
Disipación de Potencia60W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
60W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza RFP12N10L
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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