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RFP50N06
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 50 A, 0.022 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteRFP50N06
No. Parte Newark58K9518
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id50A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.022ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.022ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd131W
Diseño de TransistorTO-220AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia131W
Núm. de Contactos3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El RFP50N06 es un MOSFET de potencia de canal N de 60 V que utiliza el proceso MegaFET. Este proceso, que utiliza tamaños de características que se aproximan a los de los circuitos integrados LSI, proporciona una utilización óptima del silicio, lo que resulta en un rendimiento sobresaliente. El MOSFET está diseñado para aplicaciones como reguladores de conmutación, convertidores de conmutación, controladores de motor y controladores de relé. Este transistor se puede operar directamente desde circuitos integrados. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Modelo PSPICE® de compensación de temperatura
- Corriente pico vs. curva de ancho de pulso
- Curva de calificación UIS
- Temperatura de unión nominal de 175°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.022ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
131W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Núm. de Contactos
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
50A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.022ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia
131W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza RFP50N06
1 producto (s) encontrado (s)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto