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TIP117G
TRANSISTOR, BIPOL, PNP, 100V
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteTIP117G
No. Parte Newark82Y7298
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor0
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Disipación de Potencia Pd50W
Corriente de Colector Continua0
Frecuencia de Transición0
Disipación de Potencia0
Corriente de Colector DC2A
Encapsulado de Transistor RFTO-220
Núm. de Contactos3Pines
Ganancia de Corriente DC hFE500hFE
Diseño de Transistor0
Montaje de TransistorThrough Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Corriente de Colector Continua
0
Disipación de Potencia
0
Encapsulado de Transistor RF
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
500hFE
Montaje de Transistor
Through Hole
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
0
Voltaje Máx. Colector a Emisor
0
Disipación de Potencia Pd
50W
Frecuencia de Transición
0
Corriente de Colector DC
2A
Núm. de Contactos
3Pines
Diseño de Transistor
0
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
0
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
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