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TIP32AG
Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 60 V, 3 A, 40 W, TO-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteTIP32AG
No. Parte Newark97Y9659
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor60
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua3
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia40
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE0
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición3
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.10
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
3
Disipación de Potencia
40
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
10
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia de Corriente DC hFE
0
Frecuencia de Transición
3
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
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RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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