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UF3C120150B7S
MOSFET DE CARBURO DE SILICIO, SENCILLO
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C120150B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark78AK8896
Su número de pieza
1,324 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $12.750 |
| 50+ | $8.850 |
| 100+ | $7.010 |
| 250+ | $6.870 |
| 500+ | $6.730 |
| 1000+ | $6.580 |
| 2500+ | $6.440 |
| 5000+ | $6.310 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$12.75
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C120150B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark78AK8896
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id17
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente150
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5
Disipación de Potencia136
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
17
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
150
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
136
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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Certificado de conformidad del producto