Imprimir página
UF4C120070B7S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 25.7 A, 1.2 kV, 0.091 ohm, TO-263 (D2PAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF4C120070B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)49AM1474RL
Cinta adhesiva49AM1474
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
795 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $16.760 | $16.76 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $16.76 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $16.760 |
| 50+ | $10.800 |
| 100+ | $10.580 |
| 250+ | $10.370 |
| 500+ | $10.150 |
| 1000+ | $9.940 |
| 2500+ | $9.720 |
| 5000+ | $9.500 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF4C120070B7SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)49AM1474RL
Cinta adhesiva49AM1474
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id25.7A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.091ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia183W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
25.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.091ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
183W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto