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UG3SC120009K4S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 120 A, 1.2 kV, 0.011 ohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUG3SC120009K4SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark49AM1477
Rango de ProductoEliteSiC Series
Su número de pieza
580 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $71.600 |
| 5+ | $63.280 |
| 10+ | $54.950 |
| 25+ | $53.470 |
| 50+ | $51.990 |
| 100+ | $50.510 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$71.60
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUG3SC120009K4SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark49AM1477
Rango de ProductoEliteSiC Series
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id120A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.011ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente6V
Disipación de Potencia789W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEliteSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.011ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
789W
Rango de Producto
EliteSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto