Imprimir página
UJ3C065080B3
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 25 A, 650 V, 0.08 ohm, D2PAK
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3C065080B3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47AK1771RL
Cinta adhesiva47AK1771
Su número de pieza
200 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $14.300 | $14.30 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $14.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.300 |
| 50+ | $10.610 |
| 100+ | $8.790 |
| 250+ | $8.610 |
| 500+ | $8.440 |
| 1000+ | $8.260 |
| 2500+ | $8.090 |
| 5000+ | $7.910 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ3C065080B3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)47AK1771RL
Cinta adhesiva47AK1771
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id25
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia115
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia
115
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
25
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto