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2SD1898T100Q
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 80 V, 500 mA, 500 mW, SOT-89, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte Fabricante2SD1898T100Q
No. Parte Newark40P3473
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor80V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo80V
Corriente de Colector Continua500mA
Disipación de Potencia Pd500mW
Disipación de Potencia500mW
Corriente de Colector DC500mA
Diseño de TransistorSOT-89
Montaje de TransistorSurface Mount
Ganancia de Corriente DC hFE82hFE
Núm. de Contactos3Pines
Frecuencia de Transición100MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.82hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
80V
Disipación de Potencia Pd
500mW
Corriente de Colector DC
500mA
Montaje de Transistor
Surface Mount
Núm. de Contactos
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
82hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
80V
Corriente de Colector Continua
500mA
Disipación de Potencia
500mW
Diseño de Transistor
SOT-89
Ganancia de Corriente DC hFE
82hFE
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
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