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AG166FNH7FRATCB
MOSFET, N-CH, 80V, 40A, WFDFN3333T8LSAB
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG166FNH7FRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark15AN1822
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 18 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.570 |
| 50+ | $1.360 |
| 100+ | $1.230 |
| 250+ | $1.120 |
| 500+ | $0.943 |
| 1000+ | $0.839 |
| 2500+ | $0.735 |
| 5000+ | $0.706 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$7.85
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteAG166FNH7FRATCBCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark15AN1822
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id40A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0117ohm
Diseño de TransistorWFDFN3333T8LSAB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia62W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
40A
Diseño de Transistor
WFDFN3333T8LSAB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
62W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0117ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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