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BSM300C12P3E201
SIC MOSFET, CANAL N, 1.2KV, 300A
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FabricanteROHM
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| 10+ | $732.880 |
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Información del producto
FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark88AH6163
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETChopper
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id300A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia1.36kW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Chopper
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
-
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
1.36kW
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
300A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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