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BSM600D12P3G001
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 600 A, 1.2 kV, Module
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FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark88AH6171
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2,005.550 |
| 5+ | $1,965.430 |
| 10+ | $1,925.320 |
| 25+ | $1,885.220 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteBSM600D12P3G001Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark88AH6171
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETMedio Puente
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalDoble Canal N
Intensidad Drenador Continua Id600
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorModule
No. de Pines-
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia2.45
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Medio Puente
Tipo de Canal
Doble Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
-
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
2.45
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto