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IMB10AT110
Transistor Bipolar PrePolarizado/Digital, PNP Doble, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteIMB10AT110Copiar
No. Parte Newark69AH0358
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadDual PNP
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor-
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor50
Corriente del Colector Continua100
Resitencia Básica de Entrada R12.2
Resistencia R2 Base Emisor47
Diseño de TransistorSC-74
No. de Pines6 Pin
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia300
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.80
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Dual PNP
Voltaje Máx. PNP de Colector a Emisor
50
Resitencia Básica de Entrada R1
2.2
Diseño de Transistor
SC-74
Montaje de Transistor
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. NPN de Colector a Emisor
-
Corriente del Colector Continua
100
Resistencia R2 Base Emisor
47
No. de Pines
6 Pin
Disipación de Potencia
300
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
80
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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