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QH8MB5TCR
MOSFET, DUAL, N/ P-CH, 40V, 4.5A, TSMT ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 100+ | $0.637 |
| 500+ | $0.511 |
| 1000+ | $0.450 |
| 2500+ | $0.416 |
| 12000+ | $0.382 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQH8MB5TCR
No. Parte Newark59AJ2223
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N40V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P40V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.034ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.034ohm
Diseño de TransistorTSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
40V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
4.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.034ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
40V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.034ohm
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
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