Imprimir página
QS8J13TR
MOSFET, CAN P DOBLE, -12V, -5.5A, TSMT-8
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQS8J13TRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark71Y9238
Su número de pieza
1,380 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.460 |
| 10+ | $0.914 |
| 100+ | $0.604 |
| 500+ | $0.470 |
| 1000+ | $0.425 |
| 2500+ | $0.384 |
| 12000+ | $0.341 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.46
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteQS8J13TRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante21 semanas
No. Parte Newark71Y9238
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N12V
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.022ohm
Diseño de TransistorTSMT
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.5W
Disipación de Potencia de Canal P1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
12V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.5A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.022ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.5W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
12V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
TSMT
Disipación de Potencia de Canal N
1.5W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto