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RD3G07BATTL1
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 70 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRD3G07BATTL1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6095
Re-reeling (Rollos a medida)22AJ0390RL
Cinta adhesiva22AJ0390
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401 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $3.390 | $16.95 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $16.95 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $3.390 |
| 10+ | $2.060 |
| 15+ | $1.920 |
| 25+ | $1.790 |
| 50+ | $1.650 |
| 125+ | $1.520 |
| 250+ | $1.390 |
| 500+ | $1.260 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $1.070 |
| 7500+ | $1.010 |
| 12500+ | $0.990 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRD3G07BATTL1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6095
Re-reeling (Rollos a medida)22AJ0390RL
Cinta adhesiva22AJ0390
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id70A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5700µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia101W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5700µohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
70A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
101W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto