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RS1E260ATTB1
MOSFET, CANAL P, 30V, 80A, 150°C, 40W
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FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark29AK5180
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.470 |
| 10+ | $2.940 |
| 25+ | $2.640 |
| 50+ | $2.350 |
| 100+ | $2.060 |
| 250+ | $1.950 |
| 500+ | $1.850 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRS1E260ATTB1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark29AK5180
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3100µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorHSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia40W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3100µohm
Diseño de Transistor
HSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
Disipación de Potencia
40W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto