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RS1G201ATTB1
MOSFET, CANAL P, 40V, 78A, HSOP
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FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRS1G201ATTB1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark91AH8988
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Información del producto
FabricanteROHM
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Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark91AH8988
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id78
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4200µohm
Diseño de TransistorHSOP
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia40
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
HSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
40
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
78
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4200µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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