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RUM002N02T2L
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, VMT, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 25+ | $0.168 |
| 50+ | $0.129 |
| 100+ | $0.091 |
| 250+ | $0.087 |
| 500+ | $0.083 |
| 1000+ | $0.075 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRUM002N02T2L
No. Parte Newark10AC8982
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Diseño de TransistorVMT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia150
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
VMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5
Disipación de Potencia
150
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza RUM002N02T2L
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto