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RUM002N02T2L
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 200 mA, 1.2 ohm, VMT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRUM002N02T2L
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6139
Re-reeling (Rollos a medida)10AC8982
Cinta adhesiva10AC8982
Su número de pieza
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.344 | $1.72 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.72 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.344 |
| 10+ | $0.213 |
| 25+ | $0.186 |
| 50+ | $0.160 |
| 100+ | $0.134 |
| 250+ | $0.116 |
| 500+ | $0.098 |
| 1000+ | $0.087 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 8000+ | $0.081 |
| 16000+ | $0.077 |
| 32000+ | $0.074 |
| 48000+ | $0.071 |
| 80000+ | $0.068 |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteRUM002N02T2L
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6139
Re-reeling (Rollos a medida)10AC8982
Cinta adhesiva10AC8982
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id200mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorVMT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)2.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia150mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.2
Diseño de Transistor
VMT
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.5V
Disipación de Potencia
150mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200mA
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza RUM002N02T2L
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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