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SCT2H12NZGC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 3.7 A, 1.7 kV, 1.15 ohm, TO-3PFM
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FabricanteROHM
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT2H12NZGC11Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante27 semanas
No. Parte Newark79Y4716
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id3.7
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.7
Resistencia de Activación Rds(on)1.15ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.15
Diseño de TransistorTO-3PFM
Disipación de Potencia Pd35W
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia35
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.15
Disipación de Potencia Pd
35W
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
35
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (17-Jan-2023)
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
3.7
Resistencia de Activación Rds(on)
1.15ohm
Diseño de Transistor
TO-3PFM
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (17-Jan-2023)
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