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SCT3040KLHRC11
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 55 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247N
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteROHM
No. Parte FabricanteSCT3040KLHRC11
No. Parte Newark02AH4683
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id55A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247N
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia262W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
55A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
Diseño de Transistor
TO-247N
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
262W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto